Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки

Впервые исследовано влияние облучения при высокой температуре (“горячего облучения”) протонами на вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Исследовались коммерческие высоковольтные (блокирующее напряжение 1700 V) интегрированные 4$H$-SiC-диоды Шоттки. Облучение производилось протонами с энергией 15 MeV при температурах 20–400$^\circ$C. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению параметром, определяющим радиационную стойкость приборов, является омическое сопротивление базы, монотонно возрастающее с ростом дозы облучения $D$. Показано, что при “горячем” облучении радиационная стойкость диодов существенно превышает стойкость диодов при низкотемпературном (“холодном”) облучении. Сделан вывод, что с ростом температуры облучения уменьшается скорость образования глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния.