Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах

Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики коммерческих выпрямительных диодов на основе барьера Шоттки к 4$H$-SiC в диапазоне температур 20–370$^\circ$С; максимальный ток составлял 10–20 мА, максимальное напряжение 10–100 В. Установлено, что диоды можно считать близкими к идеальным с высотой барьера Шоттки $\sim$1.5 эВ, при этом прямой ток во всем диапазоне температур, а обратный ток при высоких температурах в значительной степени обусловлены термоэлектронной эмиссией. Верхняя граница диапазона рабочих температур выпрямительных диодов Шоттки на основе 4$H$-SiC при исследуемых токах и напряжениях примерно соответствует фундаментальной границе, определяемой высотой барьера, и в представленном эксперименте достигает 370$^\circ$C.