Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники

Проведены исследования возможности интеграции эпитаксиальных SiC- и AlN-технологий с использованием противоположных граней общей SiC-подложки (эпитаксия AlN осуществлялась на заключительном этапе) с точки зрения сохранения исходного качества ранее полученных SiC-слоев. В частности, исследовано влияние AlN-гетероэпитаксии и сопутствующих ей упругих напряжений на перераспределение концентрации легирующей примеси в SiC-слоях, а также связанную с этим процессом трансформацию распределения локальных значений напряжения пробоя барьерных диодов. В качестве диагностической процедуры изучения возможных негативных последствий длительного роста ($\sim$h, $\sim$60 $\mu$m) использовались измерения обратных ветвей вольт-амперных характеристик матриц поверхностно-барьерных диодов типа Au-SiC, которые преднамеренно создавались до и непосредственно после проведения процесса AlN-эпитаксии и удалялись после осуществления соответствующего комплекса измерений. Статистическая обработка значений напряжений пробоя, в том числе и вычисление гистограмм, показала, что изменение средних значений и дисперсии как для слоев $n$-, так и для слоев $p$-типа оказалось незначительным.