Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC

Проведено исследование спектров фотолюминесценции в гетероструктурах 3$C$-SiC/4$H$-SiC и монокристаллах 3$C$-SiC. Показано, что эпитаксиальные слои 3$C$-SiC, выращенные на подложках 4$H$-SiC, имеют существенно меньшее структурное совершенство, чем монокристаллы 3$C$-SiC. Обнаружено, что легирование алюминием приводит к появлению характерной фотолюминесценции как в эпитаксиальных слоях, так и в монокристаллах 3$C$-SiC. В то же время облучение электронами эпитаксиальных слоев не приводит к появлению “дефектной” фотолюминесценции, как это наблюдается для монокристаллов. Высказано предположение, что существующие в эпитаксиальных слоях 3$C$-SiC двойниковые границы могли служить геттерами радиационных дефектов, являющихся компонентами донорно-акцепторных пар, ответственных за “дефектную” фотолюминесценцию.