А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557

Письма в Журнал технической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 11, страницы 28–30 (Mi pjtf5420)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в

n

$n$ -3

C

$C$ -SiC

А. А. Лебедев^ab, И. П. Никитина^a, Н. В. Середова^a, Н. К. Полетаев^a, С. П. Лебедев^a, В. В. Козловский^c, А. В. Зубов^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

PDF полного текста (305 kB) Список цитирования (3)

Аннотация: Проведено исследование спектров фотолюминесценции в гетероструктурах 3

C

$C$ -SiC/4

H

$H$ -SiC и монокристаллах 3

C

$C$ -SiC. Показано, что эпитаксиальные слои 3

C

$C$ -SiC, выращенные на подложках 4

H

$H$ -SiC, имеют существенно меньшее структурное совершенство, чем монокристаллы 3

C

$C$ -SiC. Обнаружено, что легирование алюминием приводит к появлению характерной фотолюминесценции как в эпитаксиальных слоях, так и в монокристаллах 3

C

$C$ -SiC. В то же время облучение электронами эпитаксиальных слоев не приводит к появлению “дефектной” фотолюминесценции, как это наблюдается для монокристаллов. Высказано предположение, что существующие в эпитаксиальных слоях 3

C

$C$ -SiC двойниковые границы могли служить геттерами радиационных дефектов, являющихся компонентами донорно-акцепторных пар, ответственных за “дефектную” фотолюминесценцию.

Ключевые слова: фотолюминесценция, кубический политип карбида кремния, сублимационная эпитаксия, облучение электронами.

Поступила в редакцию: 25.02.2019
Исправленный вариант: 14.03.2019
Принята в печать: 14.03.2019

Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 6, Pages 557–559
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019060117

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в

n

$n$ -3

C

$C$ -SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{LebNikSer19}

\by А.~А.~Лебедев, И.~П.~Никитина, Н.~В.~Середова, Н.~К.~Полетаев, С.~П.~Лебедев, В.~В.~Козловский, А.~В.~Зубов

\paper Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC

\jour Письма в ЖТФ

\yr 2019

\vol 45

\issue 11

\pages 28--30

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5420}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131035}

\transl

\jour Tech. Phys. Lett.

\yr 2019

\vol 45

\issue 6

\pages 557--559

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019060117}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5420

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i11/p28

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Kassahun Lewetegn, Habtamu Birhanu, Yong Liu, Paulos Taddesse, “Synthesis of Zn0.87(Fe, Al)0.065O – MO (MO = NiO, Fe2O3, CuO, and CoO) nanocomposites: structural, vibrational, optical and antibacterial studies”, Journal of Molecular Structure, 2024, 139401
В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 35–37 ; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289
Dmitrii Raskhodchikov, Vladimir Kaasik, Andrey Lipovskii, 2020 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech), 2020, 210

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	73
PDF полного текста:	24

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы