|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика низкоразмерных структур
Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
С. П. Лебедевa, И. С. Барашa, И. А. Елисеевa, П. А. Дементьевa, А. А. Лебедевab, П. В. Булатc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Изучено влияние температуры и длительности травления поверхности 4$H$-SiC (0001) в водороде на структурное совершенство пленок графена, выращиваемых методом термодеструкции. Определено несколько технологических режимов, позволяющих осуществлять травление подложки без изменения стехиометрического состава поверхности. Продемонстрировано, что предростовое травление в водороде при $T$ = 1600$^\circ$C и длительности 1 min позволяет получать более однородный и структурно-совершенный графен, чем травление при $T$ = 1300$^\circ$C и длительности 30 min.
Ключевые слова:
графен, карбид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, атомно-силовая микроскопия.
Поступила в редакцию: 25.05.2019 Исправленный вариант: 25.05.2019 Принята в печать: 10.06.2019
Образец цитирования:
С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1940–1946; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5443 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1940
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 31 |
|