Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC

Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины нескомпенсированной донорной примеси $(N_{d}-N_{a})$ в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4$H$-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07–0.15 cm$^{-1}$, а при облучении протонами 50–70 cm$^{-1}$. Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения $\sim$10$^{17}$ cm$^{-2}$. Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых $p$–$i$–$n$-диодов с аналогичными напряжениями пробоя.