|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
А. А. Лебедевa, К. С. Давыдовскаяa, А. Н. Якименкоb, А. М. Стрельчукa, В. В. Козловскийb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины нескомпенсированной донорной примеси $(N_{d}-N_{a})$ в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4$H$-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07–0.15 cm$^{-1}$, а при облучении протонами 50–70 cm$^{-1}$. Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения $\sim$10$^{17}$ cm$^{-2}$. Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых $p$–$i$–$n$-диодов с аналогичными напряжениями пробоя.
Поступила в редакцию: 16.06.2017
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, А. Н. Якименко, А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, “Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 63–67; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6072 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i22/p63
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 10 |
|