|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
П. А. Алексеевa, Б. Р. Бородинa, М. С. Дунаевскийa, А. Н. Смирновb, В. Ю. Давыдовa, С. П. Лебедевa, А. А. Лебедевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Методом локального анодного окисления получены области оксида графена на SiC. Изменение свойств поверхности подтверждено методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Получены экспериментальные данные о проводимости, потенциале и топографии окисленных областей. Показано, что окисление приводит к повышению поверхностного потенциала. Установлена связь между такими параметрами окисления, как скорость сканирования и напряжение на зонде. Методом локального анодного окисления выполнена литография графеновой наноленты (nanoribbon) шириной $\sim$20 nm, а также получено наносужение (nanoconstriction) шириной $\sim$10 nm.
Поступила в редакцию: 15.01.2018
Образец цитирования:
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5816 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i9/p34
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 25 |
|