Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Цырлин Георгий Эрнстович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 46
Научных статей: 46

Статистика просмотров:
Эта страница:251
Страницы публикаций:2494
Полные тексты:892
Списки литературы:48
доктор физико-математических наук (2001)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:
Сайт: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_staff_ru.htm

Научная биография:

Цырлин, Георгий Эрнстович. Компьютерное моделирование процессов роста полупроводниковых соединений $A_3 B_5$ в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.01 / АН СССР. Ин-т аналит. приборостроения. - Ленинград, 1991. - 128 с. : ил.

Цырлин, Георгий Эрнстович. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.01, 01.04.10. - Санкт-Петербург, 2001. - 135 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person113873
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 3
2. И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624  mathnet  elib; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 2
3. В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35  mathnet  elib 2
4. А. С. Кулагина, В. Н. Трухин, Д. Д. Ступин, А. Л. Чернев, М. В. Дубина, Г. Э. Цырлин, “Исследование спектров комплексного показателя преломления пленок мононуклеотидов на кремнии в терагерцевом диапазоне”, Письма в ЖТФ, 47:17 (2021),  29–31  mathnet  elib; A. S. Kulagina, V. N. Trukhin, D. D. Stupin, A. L. Chernev, M. V. Dubina, G. E. Cirlin, “Complex refractive of the spectra index of mononucleotide films on silicon in the terahertz range”, Tech. Phys. Lett., 47:12 (2021), 862–864
5. Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408 1
2020
6. А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133  mathnet  elib; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130
7. А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, Г. Э. Цырлин, Е. Н. Бодунов, В. В. Данилов, “Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127  mathnet  elib; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 9
8. А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 7
9. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 6
10. Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887  mathnet  elib; R. R. Reznik, V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis of morphologically developed ingan nanostructures on silicon: influence of the substrate temperature on the morphological and optical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077 4
11. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
12. В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35  mathnet  elib; V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 7
2019
13. А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292  mathnet  elib; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 11
14. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis by molecular beam epitaxy and properties of InGaN nanostructures of branched morphology on a silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1111–1113 5
15. Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40  mathnet  elib; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
2018
16. В. Н. Кац, А. В. Платонов, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, В. П. Кочерешко, “Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити”, Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2445–2449  mathnet  elib; V. N. Kats, A. V. Platonov, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, V. P. Kochereshko, “Polarization spectroscopy of an isolated quantum dot and an isolated quantum wire”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2623–2627 1
17. П. В. Петров, И. А. Кокурин, Ю. Л. Иванов, Г. Э. Цырлин, В. Е. Седов, Н. С. Аверкиев, “Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:2 (2018),  333–340  mathnet  elib; P. V. Petrov, I. A. Kokurin, Yu. L. Ivanov, G. E. Cirlin, V. E. Sedov, N. S. Averkiev, “Fine structure of levels and piezospectroscopy of A$^{+}$ centers in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Phys. Solid State, 30:2 (2018), 339–346 1
18. П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511  mathnet  elib; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 3
19. Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468  mathnet  elib; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 4
20. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
21. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 2
22. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 2
23. P. A. Alekseev, V. A. Sharov, P. Geydt, M. S. Dunaevskiy, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, V. V. Lysak, E. Lähderanta, G. E. Cirlin, “GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 609–611 6
24. I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608
25. I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604
26. A. M. Mozharov, A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin, I. S. Mukhin, “Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 489–492 4
27. G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 10
28. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  23–27  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23
29. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
30. Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 12
2017
31. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1631  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Ultrafast dynamics of photoinduced electron–hole plasma in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23
32. И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587  mathnet  elib; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
33. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 1
34. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 15
35. В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77  mathnet  elib; V. G. Talalaev, V. I. Shtrom, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813 2
36. А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 24
2016
37. И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 2
38. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 11
39. А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1675–1678  mathnet  elib; A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, V. N. Kats, G. E. Cirlin, A. D. Bouravlev, D. V. Avdoshina, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, “Polarization of the photoluminescence of quantum dots incorporated into quantum wires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1647–1650
40. И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646  mathnet  elib; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 1
41. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565 5
42. А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547  mathnet  elib; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 8
43. Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444  mathnet  elib; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 15
44. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 20
45. А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678  mathnet  elib; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 9
2015
46. V. N. Trukhin, A. S. Buyskih, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, Yu. B. Samsonenko, A. V. Trukhin, G. E. Cirlin, M. A. Kaliteevski, D. A. Zeze, A. J. Gallant, “Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:5 (2015), 316–320  isi  elib  scopus 3

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024