Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1289–1292
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48141.25 (Mi phts5419) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью

А. И. Хребтовa, Р. Р. Резникb, Е. В. Убыйвовкc, А. П. Литвинb, И. Д. Скурловb, П. С. Парфёновb, А. С. Кулагинаab, В. В. Даниловd, Г. Э. Цырлинabef

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
d Петербургский государственный университет путей сообщения
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (368 kB) Список цитирования (11)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48141.25
Аннотация: Впервые представлена композитная наноструктура на основе квазиодномерных нитевидных нанокристаллов InP с нановставкой InAsP, выращенных на подложке Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и нульмерных коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS. Экспериментально подтверждено наличие безызлучательного переноса энергии между составляющими гибридной наноструктуры, а именно между коллоидными квантовыми точками и нановставкой.
Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, коллоидные квантовые точки, безызлучательный перенос энергии.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-40006 мега
Российский научный фонд 19-72-30004
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ 18-02-40006 мега и гранта РНФ 19-72-30004.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1258–1261
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292; Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrRezUby19}
\by А.~И.~Хребтов, Р.~Р.~Резник, Е.~В.~Убыйвовк, А.~П.~Литвин, И.~Д.~Скурлов, П.~С.~Парфёнов, А.~С.~Кулагина, В.~В.~Данилов, Г.~Э.~Цырлин
\paper Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1289--1292
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5419}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48141.25}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129884}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1258--1261
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5419
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1289
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025