Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1644–1646 (Mi phts6286)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

И. В. Штромabc, А. Д. Буравлевabc, Ю. Б. Самсоненкоbcd, А. И. Хребтовbd, И. П. Сошниковabc, Р. Р. Резникbde, Г. Э. Цырлинdcb, V. Dhakaf, A. Perrosf, H. Lipsanenf

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
f Aalto University, Finland
PDF полного текста (716 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 $\mathring{\mathrm{A}}$.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1619–1621
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646; Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShtBouSam16}
\by И.~В.~Штром, А.~Д.~Буравлев, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, И.~П.~Сошников, Р.~Р.~Резник, Г.~Э.~Цырлин, V.~Dhaka, A.~Perros, H.~Lipsanen
\paper Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1644--1646
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6286}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369066}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1619--1621
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6286
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1644
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024