Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 884–887
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49826.18 (Mi phts5165) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства

Р. Р. Резникa, В. О. Гридчинb, К. П. Котлярb, Н. В. Крыжановскаяb, С. В. Морозовcd, Г. Э. Цырлинbef

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (583 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49826.18
Аннотация: Исследована зависимость морфологических характеристик и оптических свойств InGaN-наноструктур разветвленной морфологии на поверхности Si(111) от температуры подложки при выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что при увеличении температуры подложки увеличивается высота наноколонн InGaN, формирующихся на начальном этапе роста. Увеличение температуры роста InGaN-наноструктур также приводит к увеличению интенсивности спектров фотолюминесценции от таких структур, причем зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения являются линейными. Эти факты указывают на перспективность структур для оптических приложений, в частности для создания белых светодиодов на основе единого материала.
Ключевые слова: наноструктуры, InGaN, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI61619X0115
Работа была выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (RFMEFI61619X0115).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1075–1077
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 884–887; Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezGriKot20}
\by Р.~Р.~Резник, В.~О.~Гридчин, К.~П.~Котляр, Н.~В.~Крыжановская, С.~В.~Морозов, Г.~Э.~Цырлин
\paper Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 884--887
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5165}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49826.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154193}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1075--1077
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5165
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p884
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025