|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
Р. Р. Резникa, В. О. Гридчинb, К. П. Котлярb, Н. В. Крыжановскаяb, С. В. Морозовcd, Г. Э. Цырлинbef a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Исследована зависимость морфологических характеристик и оптических свойств InGaN-наноструктур разветвленной морфологии на поверхности Si(111) от температуры подложки при выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что при увеличении температуры подложки увеличивается высота наноколонн InGaN, формирующихся на начальном этапе роста. Увеличение температуры роста InGaN-наноструктур также приводит к увеличению интенсивности спектров фотолюминесценции от таких структур, причем зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения являются линейными. Эти факты указывают на перспективность структур для оптических приложений, в частности для создания белых светодиодов на основе единого материала.
Ключевые слова:
наноструктуры, InGaN, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 884–887; Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5165 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p884
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 12 |
|