Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 621–624
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51125.01 (Mi phts4990) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

И. В. Илькивab, К. П. Котлярb, Д. А. Кириленкоc, А. В. Осиповd, И. П. Сошниковac, А. Н. Терпицкийa, Г. Э. Цырлинa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (793 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51125.01
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований по осаждению германия Ge на поверхность нитевидных нанокристаллов AlGaAs. С применением спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено формирование как кубической, так и гексагональной фаз Ge. Показано, что тонкие слои германия в гексагональной фазе преимущественно формируются на боковых поверхностях вюрцитных нитевидных нанокристаллов в результате наследования кристаллической структуры.
Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, гетероструктуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0003
АААА-А18-118012790011-3
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (0791-2020-0003). А.В. Осипов выполнял свою часть работы в рамках государственного задания ФГУП ИПМаш РАН № АААА-А18-118012790011-3. ПЭМ-измерения проведены с использованием оборудования Федерального центра коллективного пользования “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях”, поддержанного Министерством образования и науки России (RFMEFI62119X0021).
Поступила в редакцию: 09.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 8, Pages 678–681
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624; Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IlkKotKir21}
\by И.~В.~Илькив, К.~П.~Котляр, Д.~А.~Кириленко, А.~В.~Осипов, И.~П.~Сошников, А.~Н.~Терпицкий, Г.~Э.~Цырлин
\paper Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 621--624
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4990}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51125.01}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480611}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 678--681
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4990
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p621
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024