Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 952–957
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49838.32 (Mi phts5177) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ

А. И. Хребтовa, А. С. Кулагинаa, В. В. Даниловb, Е. С. Громоваb, И. Д. Скурловc, А. П. Литвинc, Р. Р. Резникc, И. В. Штромad, Г. Э. Цырлинacd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1224 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49838.32
Аннотация: Приведены результаты исследований фотодинамики распада возбужденных состояний гибридной полупроводниковой наноструктуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP с нановставкой InAsP, пассивированных квазиленгмюровским слоем ТОРО (триоктилфосфиноксид), содержащим коллоидные квантовые точки CdSe/ZnS. Получены спектрокинетические зависимости люминесценции наноразмерных включений InAsP в ближней инфракрасной области при температурах 80 и 293 K. Наличие слоя ТОРО-CdSe/ZnS квантовых точек на поверхности нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP ведет к увеличению длительности излучательной рекомбинации и появлению ее зависимости от температуры. Установлено, что в синтезированной структуре имеется гетеропереход второго рода на границе между нановставкой InAsP и объемом InP. Обсуждается влияние межфазных процессов на увеличение длительности свечения.
Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, коллоидные квантовые точки, люминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0003
Российский научный фонд 19-72-30010
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-00980 мол_а
Образцы синтезированы при поддержке Министерства образования и науки в части Государственного задания № 0791-2020-0003. Спектрокинетические исследования выполнены при поддержке гранта РНФ № 19-72-30010. Измерения спектров стационарной фотолюминесценции выполнены при поддержке гранта РФФИ № 18-32-00980 мол_а.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1141–1146
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 952–957; Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrKulDan20}
\by А.~И.~Хребтов, А.~С.~Кулагина, В.~В.~Данилов, Е.~С.~Громова, И.~Д.~Скурлов, А.~П.~Литвин, Р.~Р.~Резник, И.~В.~Штром, Г.~Э.~Цырлин
\paper Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 952--957
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5177}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49838.32}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154205}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1141--1146
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5177
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p952
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024