|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
Р. Р. Резникa, К. М. Морозовa, И. Л. Крестниковa, К. П. Котлярb, И. П. Сошниковcde, L. Leandrof, N. Akopianf, Г. Э. Цырлинbcdeg a Innolume GmbH, Dortmund, Germany
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark
g Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментальных исследований направленности излучения из квантовых точек GaAs в нитевидных нанокристаллах AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния. Показано, что интенсивность излучения из квантовых точек в направлении роста нитевидных нанокристаллов на два порядка превышает интенсивность излучения в перпендикулярном направлении.
Ключевые слова:
полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, микрофотолюминесценция, направленное излучение.
Поступила в редакцию: 18.01.2021 Исправленный вариант: 27.01.2021 Принята в печать: 27.01.2021
Образец цитирования:
Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 47–50; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6568 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i8/p47
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 10 |
|