Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 475 (Mi phts5871)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Transport in heterostructures

Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential

A. M. Mozharova, A. A. Vasilieva, A. D. Bolshakova, G. A. Sapunova, V. V. Fedorova, G. E. Cirlinabc, I. S. Mukhinab

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
c Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (23 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: In this work we have studied volt-ampere characteristics of single core-shell GaN/InGaN/GaN nanowire. It was experimentally shown that negative differential resistance effect can be obtained in the studied heterostructure. On the base of numerical calculation results the model describing negative differential resistance phenomenon was proposed. We assume this effect to be related with strong localization of current flow inside the nanowire and emergence of Gunn effect in this area.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 489–492
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. M. Mozharov, A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin, I. S. Mukhin, “Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 475; Semiconductors, 52:4 (2018), 489–492
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MozVasBol18}
\by A.~M.~Mozharov, A.~A.~Vasiliev, A.~D.~Bolshakov, G.~A.~Sapunov, V.~V.~Fedorov, G.~E.~Cirlin, I.~S.~Mukhin
\paper Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 475
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5871}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740470}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 489--492
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040231}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5871
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p475
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024