Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1464–1468
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46758.37 (Mi phts5661) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

Н. В. Сибиревabc, К. П. Котлярb, А. А. Корякинa, И. В. Штромdc, Е. В. Убыйвовкc, И. П. Сошниковd, Р. Р. Резникad, А. Д. Буравлевbd, Г. Э. Цырлинabdc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (958 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46758.37
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B, легированной кремнием, были синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов (Al, Ga)As c радиальным гетеропереходом, легированные бериллием. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения со стандартным солнечным спектром AM1.5G, показало, что квантовый выход полученного солнечного элемента составляет 4.1%, а кпд – 0.4%.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-01052
17-52-53196
Работа выполнена при финансовой поддержке грантами РФФИ № 18-02-01052 и 17-52-53196.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1568–1572
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120229
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468; Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibKotKor18}
\by Н.~В.~Сибирев, К.~П.~Котляр, А.~А.~Корякин, И.~В.~Штром, Е.~В.~Убыйвовк, И.~П.~Сошников, Р.~Р.~Резник, А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1464--1468
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5661}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46758.37}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903635}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1568--1572
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120229}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5661
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1464
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024