Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 785–788
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51295.25 (Mi phts4983) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN

И. П. Сошниковabc, К. П. Котлярad, Р. Р. Резникe, В. О. Гридчинad, В. В. Лендяшоваab, А. В. Вершининa, В. В. Лысакe, Д. А. Кириленкоb, Н. А. Бертb, Г. Э. Цырлинabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (392 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51295.25
Аннотация: Представлено экспериментальное исследование, направленное на развитие метода спонтанного синтеза нитевидных нанокристаллов InGaN/GaN радиальной гетероструктуры при молекулярно-пучковой эпитаксии. Методами электронной микроскопии показано, что при содержании In $x$ = 0.4 и 0.04 в ядре и оболочке и размерах ядра может образоваться клиновидная трещина. На основе модели внутренних структурных напряжений предложена формула, позволяющая оценить критические размеры и состав для образования трещин в нитевидных нанокристаллах. Сопоставление оценок и экспериментальных данных морфологии дает хорошее согласие между собой.
Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, осевые гетероструктуры, напряженные гетероструктуры, нитрид индия, нитрид галлия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-07-01364
19-32-90156
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0003
Работа проводилась при поддержке РФФИ (проекты 18-07-01364 и 19-32-90156) и Министерства науки и высшего образования в части государственного задания № 0791-2020-0003.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 10, Pages 795–798
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 785–788; Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SotKotRez21}
\by И.~П.~Сошников, К.~П.~Котляр, Р.~Р.~Резник, В.~О.~Гридчин, В.~В.~Лендяшова, А.~В.~Вершинин, В.~В.~Лысак, Д.~А.~Кириленко, Н.~А.~Берт, Г.~Э.~Цырлин
\paper Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 785--788
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4983}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51295.25}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491085}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 795--798
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4983
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p785
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024