Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 17, страницы 71–77
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504 (Mi pjtf6137) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

В. Г. Талалаевab, В. И. Штромbcde, Ю. Б. Самсоненкоce, А. И. Хребтовc, А. Д. Буравлевbcde, Г. Э. Цырлинcefg

a Martin Luther University Halle-Wittenberg, Halle, Germany
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
g Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (348 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504
Аннотация: Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК.
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 9, Pages 811–813
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017090085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 71–77; Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalShtSam17}
\by В.~Г.~Талалаев, В.~И.~Штром, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 17
\pages 71--77
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6137}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29934150}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 9
\pages 811--813
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017090085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6137
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i17/p71
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024