Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1587–1591 (Mi phts6274)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

В. Н. Трухинab, А. Д. Буравлевc, И. А. Мустафинab, Г. Э. Цырлинc, Д. И. Курицынd, В. В. Румянцевd, С. В. Морозовce, J. P. Kakkof, T. Huhtiof, H. Lipsanenf

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
e Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
f Department of Micro- and Nanosciences, Micronova, Aalto University, Aalto, Finland
PDF полного текста (823 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования генерации терагерцового излучения периодическими массивами полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Было обнаружено, что генерация ТГц излучения имеет резонансный характер вследствие резонансного возбуждения цилиндрических мод в нанокристалле и при оптимальных геометрических параметрах массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность ТГц генерации превышает аналогичную величину для объемного полупроводника $p$-InAs, который на данный момент является одним из наиболее эффективных когерентных терагерцовых эмиттеров.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1561–1565
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120241
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1587–1591; Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TruBouMus16}
\by В.~Н.~Трухин, А.~Д.~Буравлев, И.~А.~Мустафин, Г.~Э.~Цырлин, Д.~И.~Курицын, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов, J.~P.~Kakko, T.~Huhtio, H.~Lipsanen
\paper Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1587--1591
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6274}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369054}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1561--1565
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120241}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6274
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1587
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025