Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1304–1307
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46588.10 (Mi phts5685) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

Г. Э. Цырлинabcd, Р. Р. Резникc, Ю. Б. Самсоненкоab, А. И. Хребтовac, К. П. Котлярa, И. В. Илькивa, И. П. Сошниковabd, Д. А. Кириленкоd, Н. В. Крыжановскаяa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (962 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46588.10
Аннотация: Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа “вставка InAsP, внедренная в InP нитевидный нанокристалл”, выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Установлено, что возможно получение практически 100% когерентных нитевидных нанокристаллов с поверхностной плотностью, варьируемой в широком интервале, и установлена взаимосвязь между структурными и оптическими свойствами выращенных нитевидных нанокристаллов. Показано, что исследуемые нитевидные нанокристаллы являются чистыми с точки зрения кристаллографической фазы (вюрцит). Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и кремния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00393
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-00768 мол_а
Данная работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 14-12-00393. Синтез экспериментальных образцов выполнен при поддержке гранта РФФИ (грант № 18-32-00768 мол_а).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1416–1419
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307; Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CirRezSam18}
\by Г.~Э.~Цырлин, Р.~Р.~Резник, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, К.~П.~Котляр, И.~В.~Илькив, И.~П.~Сошников, Д.~А.~Кириленко, Н.~В.~Крыжановская
\paper Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1304--1307
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5685}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46588.10}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903603}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1416--1419
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5685
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1304
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024