Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1441–1444 (Mi phts6303)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

Г. Э. Цырлинabc, И. В. Штромadb, Р. Р. Резникae, Ю. Б. Самсоненкоab, А. И. Хребтовa, А. Д. Буравлевabd, И. П. Сошниковabfd

a Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (1162 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа “вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл”, выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1421–1424
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616110257
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444; Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CirShtRez16}
\by Г.~Э.~Цырлин, И.~В.~Штром, Р.~Р.~Резник, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, А.~Д.~Буравлев, И.~П.~Сошников
\paper Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1441--1444
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6303}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369027}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1421--1424
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616110257}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6303
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1441
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024