Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 21, страницы 32–35
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50194.18463 (Mi pjtf4951) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках

В. О. Гридчинa, К. П. Котлярa, Р. Р. Резникb, Л. Н. Дворецкаяa, А. В. Парфеньеваc, И. С. Мухинab, Г. Э. Цырлинabcde

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
PDF полного текста (597 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50194.18463
Аннотация: Продемонстрирована возможность селективного роста упорядоченных массивов нитевидных нанокристаллов GaN с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии на процессированных методом фотолитографии по микросферическим линзам подложках SiO$_{x}$/Si без предварительного формирования затравочных слоев. Исследовано влияние температуры подложки на морфологические свойства полученных массивов нитевидных нанокристаллов. Экспериментально выявлены оптимальные ростовые параметры, обеспечивающие режим селективного роста нитевидных нанокристаллов GaN.
Ключевые слова: GaN, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, морфологические свойства, селективный рост, микросферная литография.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0003
0791-2020-0005
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-40006 мега
Работа по выращиванию структур выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в части государственного задания № 0791-2020-0003. Исследования экспериментальных образцов проведены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 18-02-40006 мега). Подготовка кремниевых подложек выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в части государственного задания № 0791-2020-0005.
Поступила в редакцию: 13.07.2020
Исправленный вариант: 27.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1080–1083
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 32–35; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriKotRez20}
\by В.~О.~Гридчин, К.~П.~Котляр, Р.~Р.~Резник, Л.~Н.~Дворецкая, А.~В.~Парфеньева, И.~С.~Мухин, Г.~Э.~Цырлин
\paper Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 21
\pages 32--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4951}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.21.50194.18463}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367769}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1080--1083
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110061}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4951
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i21/p32
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024