|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596  |
|
2021 |
| 2. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. С. Драгунова, А. М. Надточий, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1223–1228  |
| 3. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ф. И. Зубов, М. В. Фетисова, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 820–825 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, F. I. Zubov, M. V. Fetisova, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Saturation power of a semiconductor optical amplifier based on self-organized quantum dots”, Semiconductors, 55 (2021), s67–s71 |
1
|
| 4. |
Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, А. А. Серин, Г. О. Корнышов, А. М. Надточий, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 256–263 ; Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, A. A. Serin, G. O. Kornyshov, A. M. Nadtochiy, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Effect of the active region and waveguide design on the performance of edge-emitting lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 333–340 |
4
|
| 5. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. С. Драгунова, “Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 195–200 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. S. Dragunova, “Impact of substrate in calculating the electrical resistance of microdisk lasers”, Semiconductors, 55:2 (2021), 250–255 |
1
|
| 6. |
А. С. Паюсов, М. И. Митрофанов, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, Г. В. Вознюк, М. М. Кулагина, В. П. Евтихиев, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, S. Breuer, “Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 51–54 |
| 7. |
Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, С. А. Блохин, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, “Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 3–6 |
| 8. |
Н. В. Крыжановская, И. А. Мельниченко, А. С. Букатин, А. А. Корнев, Н. А. Филатов, С. А. Щербак, А. А. Липовский, А. С. Драгунова, М. М. Кулагина, А. И. Лихачев, М. В. Фетисова, И. В. Редуто, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 30–33 |
2
|
| 9. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 28–31 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Energy consumption at high-frequency modulation of an uncooled InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 685–688 |
|
2020 |
| 10. |
Д. А. Рыбалко, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 110–117 ; D. A. Rybalko, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Spectroscopy of photoluminescence excitation of InAs/InGaAs/GaAs quantum dot array in 20–300 K temperature range”, Optics and Spectroscopy, 158:1 (2020), 106–113 |
1
|
| 11. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, “Предельная температура генерации микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 570–574 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, “Ultimate lasing temperature of microdisk lasers”, Semiconductors, 54:6 (2020), 677–681 |
2
|
| 12. |
Ф. И. Зубов, М. Е. Муретова, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, “Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 296–303 ; F. I. Zubov, M. E. Muretova, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, L. V. Asryan, “Parasitic recombination in a laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 54:3 (2020), 366–373 |
4
|
| 13. |
Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, С. А. Кадинская, M. Guina, А. Е. Жуков, “Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 212–216 ; È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, S. A. Kadinskaya, M. Guina, A. E. Zhukov, “Comparative analysis of injection microdisk lasers based on InGaAsN quantum wells and InAs/InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 54:2 (2020), 263–267 |
5
|
| 14. |
С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 11–14 ; S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 |
1
|
| 15. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, А. М. Можаров, С. А. Кадинская, О. И. Симчук, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 3–6 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, A. M. Mozharov, S. A. Kadinskaya, O. I. Simchuk, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Lasing of injection microdisks with InAs/InGaAs/GaAs quantum dots transferred to silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 783–786 |
4
|
| 16. |
Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 7–10 ; N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “A micro optocoupler based on a microdisk laser and a photodetector with an active region based on quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 629–632 |
3
|
| 17. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 3–7 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “The effect of self-heating on the modulation characteristics of a microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 515–519 |
4
|
| 18. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 3–6 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Experimental and theoretical examination of the photosensitivity spectra of structures with In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As quantum well-dots of the optical range (900–1050 nm)”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 203–206 |
5
|
|
2019 |
| 19. |
А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, М. М. Кулагина, А. С. Паюсов, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, T. Denneulin, N. Cherkashin, В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, “Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1708–1713 ; A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704 |
| 20. |
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Д. А. Санников, Т. Ф. Ягафаров, А. Е. Жуков, “Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1520–1526 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, D. A. Sannikov, T. F. Yagafarov, A. E. Zhukov, “Time-resolved photoluminescence of InGaAs nanostructures different in quantum dimensionality”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1489–1495 |
4
|
| 21. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, “Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1444–1447 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, “Semiconductor laser quasi-array with phase-locked single-mode emitting channels”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1405–1408 |
| 22. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Можаров, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1122–1127 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Mozharov, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Evaluation of the impact of surface recombination in microdisk lasers by means of high-frequency modulation”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1099–1103 |
2
|
| 23. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, И. С. Мухин, А. А. Серин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Ю. М. Шерняков, Ю. М. Задиранов, М. В. Максимов, “Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 211–215 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, I. S. Mukhin, A. A. Serin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, Yu. M. Shernyakov, Yu. M. Zadiranov, M. V. Maksimov, “Lateral mode discrimination in edge-emitting lasers with spatially modulated facet reflectance”, Semiconductors, 53 (2019), 200–204 |
1
|
| 24. |
М. В. Фетисова, А. А. Корнев, А. С. Букатин, Н. А. Филатов, И. Е. Елисеев, Н. В. Крыжановская, И. В. Редуто, Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 10–13 ; M. V. Fetisova, A. A. Kornev, A. S. Bukatin, N. A. Filatov, I. E. Eliseev, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Reduto, È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “The use of microdisk lasers based on InAs/InGaAs quantum dots in biodetection”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1178–1181 |
3
|
| 25. |
Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 37–39 ; F. I. Zubov, È. I. Moiseev, G. O. Kornyshov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, M. M. Kulagina, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Specific features of the current–voltage characteristic of microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 994–996 |
7
|
| 26. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, Ф. И. Зубов, А. М. Можаров, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. М. Кулагина, С. А. Блохин, М. В. Максимов, “Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 49–51 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, A. M. Mozharov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, M. V. Maksimov, “Energy consumption for high-frequency switching of a quantum-dot microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 847–849 |
4
|
| 27. |
М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Ф. И. Зубов, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. С. Рочас, Е. С. Колодезный, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, “Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 20–23 ; M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, F. I. Zubov, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, S. S. Rochas, E. S. Kolodeznyi, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, “Temperature dependence of characteristics of diode lasers with narrow quantum wells of the 1.55 $\mu$m spectral range based on phosphorous-free heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 549–552 |
1
|
| 28. |
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов, В. Н. Неведомский, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 42–45 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, A. A. Serin, A. S. Payusov, V. N. Nevedomskiy, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Lasers based on quantum well-dots emitting in the 980- and 1080-nm optical ranges”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 163–166 |
2
|
|
2018 |
| 29. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1518–1526 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, Yu. S. Balezina (Polubavkina), È. I. Moiseev, M. E. Muretova, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1621–1629 |
4
|
| 30. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1351–1356 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Reduction of internal loss and thermal resistance in diode lasers with coupled waveguides”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1462–1467 |
5
|
| 31. |
М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1191–1196 ; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 |
2
|
| 32. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Cокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1131–1136 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, V. N. Nevedomskiy, L. A. Sokura, S. S. Ruvimov, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Multilayer quantum well–dot InGaAs heterostructures in GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1249–1254 |
2
|
| 33. |
Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, Ю. С. Полубавкина, А. Е. Жуков, “Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 260–265 ; F. I. Zubov, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, Yu. S. Polubavkina, A. E. Zhukov, “Suppression of recombination in the waveguide of a laser heterostructure by means of double asymmetric barriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 248–253 |
| 34. |
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. С. Рувимов, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 57–62 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, S. S. Ruvimov, V. N. Nevedomskiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Bimodality in arrays of In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As hybrid quantum-confined heterostructures grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:1 (2018), 55–58 |
5
|
| 35. |
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 46–51 ; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Power characteristics and temperature dependence of the angular beam divergence of lasers with a near-surface active region”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 675–677 |
3
|
|
2017 |
| 36. |
Ф. И. Зубов, Е. С. Семенова, И. В. Кулькова, K. Yvind, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1382–1386 ; F. I. Zubov, E. S. Semenova, I. V. Kul'kova, K. Yvind, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “On the high characteristic temperature of an InAs/GaAs/InGaAsP QD laser with an emission wavelength of $\sim$1.5 $\mu$m on an InP substrate”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1332–1336 |
4
|
| 37. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, А. Е. Жуков, “Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 704–710 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, A. E. Zhukov, “InAs QDs in a metamorphic In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As matrix, grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:5 (2017), 672–678 |
| 38. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов, А. Е. Жуков, “Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 372–377 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-well–dots nanostructures grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:3 (2017), 357–362 |
2
|
| 39. |
Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280 ; N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4$^\circ$ substrates”, Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271 |
4
|
| 40. |
Ю. С. Полубавкина, Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Е. С. Семенова, K. Yvind, Л. В. Асрян, А. Е. Жуков, “Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 263–268 ; Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov, “Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 51:2 (2017), 254–259 |
2
|
|
2016 |
| 41. |
Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428 ; F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. A. Lipovskii, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411 |
5
|
| 42. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1380–1386 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1362–1368 |
11
|
| 43. |
А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, А. С. Паюсов, S. S. Rouvimov, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1202–1207 ; A. M. Nadtochiy, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, A. S. Payusov, S. S. Rouvimov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1180–1185 |
2
|
| 44. |
А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 674–678 ; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 |
9
|
| 45. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397 ; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 |
13
|
|
2014 |
| 46. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи”, Квантовая электроника, 44:3 (2014), 189–200 [N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Whispering-gallery mode microcavity quantum-dot lasers”, Quantum Electron., 44:3 (2014), 189–200   ] |
26
|
|
1996 |
| 47. |
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428 ; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398 |
18
|
|
Обратная связь: