Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Володин Владимир Алексеевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 47
Научных статей: 47

Статистика просмотров:
Эта страница:291
Страницы публикаций:5455
Полные тексты:1718
Списки литературы:682
доктор физико-математических наук
E-mail: ,

https://www.mathnet.ru/rus/person56554
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, В. И. Муратов, А. В. Двуреченский, “Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением”, Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696  mathnet; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, V. I. Muratov, A. V. Dvurechenskii, “Growth of silicene by molecular beam epitaxy on CaF$_2$/Si(111) substrates modified by electron irradiation”, JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707
2023
2. Е. А. Баранов, В. А. Непомнящих, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, И. Е. Меркулова, А. О. Замчий, Н. А. Лунев, В. А. Володин, А. А. Шаповалова, “Влияние плотности тока на структуру тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге”, Прикл. мех. техн. физ., 64:5 (2023),  52–58  mathnet  elib; E. A. Baranov, V. A. Nepomnyashchikh, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, I. E. Merkulova, A. O. Zamchiy, N. A. Lunev, V. A. Volodin, A. A. Shapovalova, “Influence of current density on the structure of thin films of amorphous silicon suboxide during electron beam annealing”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 64:5 (2024), 778–783
2022
3. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613  mathnet; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 1
4. Е. А. Баранов, А. О. Замчий, Н. А. Лунев, И. Е. Меркулова, В. А. Володин, М. Р. Шарафутдинов, А. А. Шаповалова, “Высокотемпературный отжиг тонких пленок субоксида кремния, полученных методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой”, Прикл. мех. техн. физ., 63:5 (2022),  33–41  mathnet  elib; E. A. Baranov, A. O. Zamchiy, N. A. Lunev, I. E. Merkulova, V. A. Volodin, M. R. Sharafutdinov, A. A. Shapovalova, “High-temperature annealing of thin silicon suboxide films produced by the method of gas-jet chemical deposition with activation by electron-beam plasma”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 63:5 (2022), 757–764 1
2021
5. V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, I. P. Posvirin, Xiaoping Shi, M. R. Baklanov, “Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH Low-k dielectric film”, Оптика и спектроскопия, 129:5 (2021),  618  mathnet; Optics and Spectroscopy, 129:6 (2021), 645–651 4
6. В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728  mathnet  elib; V. A. Zinov'ev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinov'eva, S. G. Cherkova, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Yu. Krupin, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, “Atomic structure and optical properties of CaSi$_2$ layers grown on CaF$_2$/Si substrates”, Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811 5
7. Zhang Fan, С. Г. Черкова, В. А. Володин, “Формирование нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO$_{2}$] и GeO[SiO]”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  507–512  mathnet  elib
8. Н. А. Лунев, А. О. Замчий, Е. А. Баранов, И. Е. Меркулова, В. О. Константинов, И. В. Корольков, Е. А. Максимовский, В. А. Володин, “Золото-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  35–38  mathnet  elib; N. A. Lunev, A. O. Zamchiy, E. A. Baranov, I. E. Merkulova, V. O. Konstantinov, I. V. Korolkov, E. A. Maximovskiy, V. A. Volodin, “Gold-induced crystallization of thin films of amorphous silicon suboxide”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 726–729 4
9. Г. Н. Камаев, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, “Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  13–16  mathnet  elib; G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, “Vertical ordering of amorphous Ge nanoclusters in multilayer $a$-Ge/$a$-Si:H heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 609–612
10. Е. А. Баранов, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, А. О. Замчий, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунёв, В. А. Володин, “Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  26–28  mathnet  elib; E. A. Baranov, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, A. O. Zamchiy, I. E. Merkulova, N. A. Lunev, V. A. Volodin, “Electron-beam crystallization of thin films of amorphous silicon suboxide”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 263–265 2
2020
11. М. П. Гамбарян, Г. К. Кривякин, С. Г. Черкова, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi$_x$O$_y$”, Физика твердого тела, 62:3 (2020),  434–441  mathnet  elib; M. P. Gambaryan, G. K. Krivyakin, S. G. Cherkova, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. A. Volodin, “Quantum size effects in germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSi$_x$O$_y$ films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 492–498 16
12. К. Н. Астанкова, В. А. Володин, И. А. Азаров, “О структуре тонких пленок монооксида германия”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1296–1301  mathnet  elib; K. N. Astankova, V. A. Volodin, I. A. Azarov, “Structure of germanium monoxide thin films”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1555–1560 14
13. Г. К. Кривякин, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, А. А. Попов, “О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  643–647  mathnet  elib; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, G. N. Kamaev, A. A. Popov, “Effect of interfaces and thickness on the crystallization kinetics of amorphous germanium films”, Semiconductors, 54:7 (2020), 754–758 4
14. Zhang Fan, С. А. Кочубей, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  251–258  mathnet  elib; Zhang Fan, S. A. Kochubei, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. A. Volodin, “On the formation of amorphous Ge nanoclusters and Ge nanocrystals in GeSi$_{x}$O$_{y}$ films on quartz substrates by furnace and pulsed laser annealing”, Semiconductors, 54:3 (2020), 322–329 5
15. А. О. Замчий, Е. А. Баранов, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунев, В. А. Володин, Е. А. Максимовский, “Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  14–17  mathnet  elib; A. O. Zamchiy, E. A. Baranov, I. E. Merkulova, N. A. Lunev, V. A. Volodin, E. A. Maximovskiy, “Indium-induced crystallization of thin films of amorphous silicon suboxide”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 583–586 2
16. А. В. Колчин, Д. В. Шулейко, А. В. Павликов, С. В. Заботнов, Л. А. Головань, Д. Е. Преснов, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, А. А. Попов, П. К. Кашкаров, “Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  43–46  mathnet  elib; A. V. Kolchin, D. V. Shuleiko, A. V. Pavlikov, S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, D. E. Presnov, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, A. A. Popov, P. K. Kashkarov, “Femtosecond laser annealing of multilayer thin-film structures based on amorphous germanium and silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 560–563 8
2019
17. Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2528–2535  mathnet  elib; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 2
18. В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, М. Штоффель, Э. Риннерт, М. Вернья, “Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  371–374  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Vibrational and light-emitting properties of Si/Si$_{1-x}$Sn$_x$ heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 368–371  isi  scopus 1
19. В. Н. Кручинин, М. В. Кручинина, Я. И. Прудникова, Е. В. Спесивцев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Володин, С. В. Шеховцов, С. Е. Пельтек, “Использование спектральной эллипсометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света в скрининговой диагностике колоректального рака”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  170–176  mathnet  elib; V. N. Kruchinin, M. V. Kruchinina, Ya. I. Prudnikova, E. V. Spesivtsev, S. V. Rykhlitskii, V. A. Volodin, S. V. Shekhovtsov, S. E. Pel'tek, “The use of spectral ellipsometry and Raman spectroscopy in the screening diagnosis of colorectal cancer”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 170–176 4
20. С. Г. Черкова, В. А. Скуратов, В. А. Володин, “Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1467–1470  mathnet  elib; S. G. Cherkova, V. A. Skuratov, V. A. Volodin, “Luminescent properties of float zone silicon irradiated with swift heavy ions”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1427–1430 4
21. И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов, “Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  502–507  mathnet  elib; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. P. Popov, “Raman scattering in InSb spherical nanocrystals ion-synthesized in silicon-oxide films”, Semiconductors, 53:4 (2019), 493–498 9
22. В. А. Володин, Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова, А. А. Попов, “Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  423–429  mathnet  elib; V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, S. V. Gusakova, A. A. Popov, “Crystallization of amorphous germanium films and multilayer $a$-Ge/$a$-Si structures upon exposure to nanosecond laser radiation”, Semiconductors, 53:3 (2019), 400–405 24
2018
23. В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, В. А. Володин, В. Н. Кручинин, А. К. Герасимова, И. П. Просвирин, “Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018),  230–235  mathnet  elib; V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin, “Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrO$_x$”, JETP Letters, 108:4 (2018), 226–230  isi  scopus 2
24. В. Н. Кручинин, В. А. Володин, Т. В. Перевалов, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния”, Оптика и спектроскопия, 124:6 (2018),  777–782  mathnet  elib; V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric tantalum oxide TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) according to spectral-ellipsometry and Raman-scattering data”, Optics and Spectroscopy, 124:6 (2018), 808–813 17
25. В. А. Володин, Zhang Rui, Г. К. Кривякин, А. Х. Антоненко, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1056–1065  mathnet  elib; V. A. Volodin, Zhang Rui, G. K. Krivyakin, A. Kh. Antonenko, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “On the formation of IR-light-emitting Ge nanocrystals in Ge:SiO$_{2}$ films”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1178–1187 4
26. В. А. Володин, В. А. Сачков, М. П. Синюков, “Запрещенное резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GaAs/AlAs: эксперимент и расчеты”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  569–574  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Sachkov, M. P. Sinyukov, “Forbidden resonant Raman scattering in GaAs/AlAs superlattices: experiment and calculations”, Semiconductors, 52:6 (2018), 717–722 1
27. E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev, “New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  517  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 628–631 2
28. И. Е. Тысченко, Г. К. Кривякин, В. А. Володин, “Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  280–284  mathnet  elib; I. E. Tyschenko, G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, “Ion-beam synthesis of the crystalline Ge phase in SiO$_{x}$N$_{y}$ films upon annealing under high pressure”, Semiconductors, 52:2 (2018), 268–272
29. В. А. Володин, В. А. Гриценко, A. Chin, “Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  37–45  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Gritsenko, A. Chin, “Local oscillations of silicon–silicon bonds in silicon nitride”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 424–427 8
2017
30. В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310  mathnet  elib; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331  isi  scopus 16
31. Г. К. Кривякин, В. А. Володин, А. А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1420–1425  mathnet  elib; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, A. A. Shklyaev, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Formation and study of $p$–$i$–$n$ structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the $i$-type region”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1370–1376 6
32. И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, В. А. Володин, M. Voelskow, “Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1289–1294  mathnet  elib; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, V. A. Volodin, M. Voelskow, “Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ thin films”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1240–1246 1
2016
33. Г. К. Кривякин, В. А. Володин, С. А. Кочубей, Г. Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  952–957  mathnet  elib; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, S. A. Kochubei, G. N. Kamaev, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Optical properties of $p$–$i$–$n$ structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing”, Semiconductors, 50:7 (2016), 935–940 10
2015
34. В. А. Володин, Л. В. Соколов, “Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge”, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015),  455–458  mathnet  elib; V. A. Volodin, L. V. Sokolov, “Redshift of the absorption edge in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 101:6 (2015), 419–421  isi  elib  scopus 6
2014
35. В. А. Володин, М. П. Синюков, “Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014),  463–466  mathnet  elib; V. A. Volodin, M. P. Sinyukov, “Anisotropy of long-wavelength optical phonons in GaAs/AlAs superlattice”, JETP Letters, 99:7 (2014), 396–399  isi  elib  scopus 10
2012
36. D. V. Marin, V. A. Volodin, H. Rinnert, M. Vergnat, “Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GeO$_{x}$”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  472–476  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 95:8 (2012), 424–428  isi  elib  scopus 9
37. В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов, “Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А”, Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012),  76–79  mathnet  elib; V. A. Volodin, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, D. V. Shcheglov, “Folding of acoustic-phonon modes in GaAs/AlAs (311)A superlattices in the direction perpendicular to nanofacets”, JETP Letters, 95:2 (2012), 70–73  isi  elib  scopus 4
2011
38. V. A. Volodin, A. S. Kacko, A. G. Cherkov, A. V. Latyshev, J. Koch, B. N. Chichkov, “Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  665–668  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 93:10 (2011), 603–606  isi  scopus 12
2009
39. В. А. Володин, “Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100)”, Письма в ЖЭТФ, 89:8 (2009),  483–485  mathnet; V. A. Volodin, “Experimental discovery of the anisotropy of phonon-plasmon modes in GaAs/AlAs(100) superlattices”, JETP Letters, 89:8 (2009), 419–421  isi  scopus 8
40. V. A. Volodin, E. V. Gorokhov, D. V. Marin, H. Rinnert, P. Miska, M. Vergnat, “Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO$_2$ matrix”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  84–88  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 89:2 (2009), 76–79  isi  scopus 6
2007
41. В. А. Володин, М. Д. Ефремов, Г. А. Качурин, Г. А. Черков, M. Deutschmann, N. Baersch, “Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007),  128–131  mathnet; V. A. Volodin, M. D. Efremov, G. A. Kachurin, A. G. Cherkov, M. Deutschmann, N. Baersch, “Phase transitions in $a$-Si:H films on a glass irradiated by high-power femtosecond pulses: Manifestation of nonlinear and nonthermal effects”, JETP Letters, 86:2 (2007), 119–122  isi  scopus 18
2005
42. В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Электрон-фононное взаимодействие в легированных бором нанокристаллах кремния: влияние интерференции Фано на спектр комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 82:2 (2005),  91–94  mathnet; V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Electron-phonon interaction in boron-doped silicon nanocrystals: Effect of Fano interference on the Raman spectrum”, JETP Letters, 82:2 (2005), 86–88  isi  scopus 12
43. Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418  mathnet; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334  isi  scopus 8
2004
44. М. Д. Ефремов, В. А. Володин, Д. В. Марин, С. А. Аржанникова, С. В. Горяйнов, А. И. Корчагин, В. В. Черепков, А. В. Лаврухин, С. Н. Фадеев, Р. А. Салимов, С. П. Бардаханов, “Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком”, Письма в ЖЭТФ, 80:8 (2004),  619–622  mathnet; M. D. Efremov, V. A. Volodin, D. V. Marin, S. A. Arzhannikova, S. V. Goryainov, A. I. Korchagin, V. V. Cherepkov, A. V. Lavrukhin, S. N. Fadeev, R. A. Salimov, S. P. Bardakhanov, “Visible photoluminescence from silicon nanopowders produced by silicon evaporation in a high-power electron beam”, JETP Letters, 80:8 (2004), 544–547  scopus 22
45. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415  mathnet; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336  scopus 5
2003
46. В. А. Володин, Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин, Д. А. Орехов, “Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия”, Письма в ЖЭТФ, 77:8 (2003),  485–488  mathnet; V. A. Volodin, Y. B. Gorokhov, M. D. Efremov, D. V. Marin, D. A. Orekhov, “Photoluminescence of GeO$_2$ films containing germanium nanocrystals”, JETP Letters, 77:8 (2003), 411–414  scopus 17
1991
47. В. А. Володин, А. М. Хапаев, “Точное решение релятивистского волнового уравнения Клейна–Гордона”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 31:6 (1991),  877–886  mathnet  mathscinet  zmath; V. A. Volodin, A. M. Khapaev, “An exact solution of the relativistic Klein–Gordon wave equation”, U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys., 31:6 (1991), 69–76  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024