Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$

Многослойные гетероструктуры Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si (001), исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены пики, соответствующие колебаниям связей Si-Sn, а также Sn-Sn, последнее позволяет предположить, что в гетероструктурах присутствуют нанокристаллы олова. При низких температурах в гетероструктурах наблюдались две полосы фотолюминесценции — 0.75 эВ (1650 нм) и 0.65 эВ (1900 нм), первую можно связать с оптическими переходами в квантовых ямах в гетероструктуре второго рода Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$, а вторую — с экситонами, локализованными в нанокристаллах олова.