Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 6, страницы 26–28
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50754.18560 (Mi pjtf4827) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

Е. А. Барановa, В. О. Константиновa, В. Г. Щукинa, А. О. Замчийab, И. Е. Меркуловаab, Н. А. Лунёвab, В. А. Володинcb

a Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (605 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50754.18560
Аннотация: Впервые получен поликристаллический кремний (poly-Si) в результате воздействия электронного пучка на пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 ($\alpha$-SiO$_{0.5}$:H) и толщиной 580 nm. Ускоряющее напряжение электронного пучка составляло 2000 V, а ток пучка – 100 mA. Получены спектры комбинационного рассеяния света пленок кремния после отжига в зависимости от времени воздействия электронного пучка на исходный материал. Показано, что в результате отжига формируется поликристаллический кремний, напряжения в котором в зависимости от времени воздействия изменяются от сжатия до растяжения.
Ключевые слова: тонкие пленки субоксида кремния, электронно-пучковый отжиг, поликристаллический кремний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-638.2019.8
Российский фонд фундаментальных исследований 19-08-00848
Исследование выполнено при финансовой поддержке гранта Президента РФ (МК-638.2019.8) (синтез и диагностика пленок субоксида кремния) и Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 19-08-00848 (электронно-пучковый отжиг).
Поступила в редакцию: 24.09.2020
Исправленный вариант: 30.11.2020
Принята в печать: 06.12.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 3, Pages 263–265
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021030172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Баранов, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, А. О. Замчий, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунёв, В. А. Володин, “Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 26–28; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 263–265
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarKonShc21}
\by Е.~А.~Баранов, В.~О.~Константинов, В.~Г.~Щукин, А.~О.~Замчий, И.~Е.~Меркулова, Н.~А.~Лунёв, В.~А.~Володин
\paper Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 6
\pages 26--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4827}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50754.18560}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46301747}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 3
\pages 263--265
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021030172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4827
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i6/p26
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024