|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
Е. А. Барановa, В. О. Константиновa, В. Г. Щукинa, А. О. Замчийab, И. Е. Меркуловаab, Н. А. Лунёвab, В. А. Володинcb a Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Впервые получен поликристаллический кремний (poly-Si) в результате воздействия электронного пучка на пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 ($\alpha$-SiO$_{0.5}$:H) и толщиной 580 nm. Ускоряющее напряжение электронного пучка составляло 2000 V, а ток пучка – 100 mA. Получены спектры комбинационного рассеяния света пленок кремния после отжига в зависимости от времени воздействия электронного пучка на исходный материал. Показано, что в результате отжига формируется поликристаллический кремний, напряжения в котором в зависимости от времени воздействия изменяются от сжатия до растяжения.
Ключевые слова:
тонкие пленки субоксида кремния, электронно-пучковый отжиг, поликристаллический кремний.
Поступила в редакцию: 24.09.2020 Исправленный вариант: 30.11.2020 Принята в печать: 06.12.2020
Образец цитирования:
Е. А. Баранов, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, А. О. Замчий, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунёв, В. А. Володин, “Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 26–28; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 263–265
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4827 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i6/p26
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 15 |
|