|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния
В. А. Володинab, В. А. Гриценкоabc, A. Chind a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China
Аннотация:
В спектрах комбинационного рассеяния света пленок почти стехиометрического аморфного нитрида кремния ($a$-Si$_{3}$N$_{4}$) обнаружен вклад от локальных колебаний связей кремний-кремний (Si–Si). Это является прямым подтверждением того, что в почти стехиометрическом $a$-Si$_{3}$N$_{4}$ имеются связи Si–Si, которые, согласно теоретическим предсказаниям, являются ловушками для электронов и дырок, т. е. ответственны за эффект памяти в Si$_{3}$N$_{4}$.
Поступила в редакцию: 05.02.2018
Образец цитирования:
В. А. Володин, В. А. Гриценко, A. Chin, “Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 37–45; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 424–427
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5803 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i10/p37
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 19 |
|