|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs
В. А. Володинab, М. П. Синюковab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована
угловая анизотропия оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs (001).
При этом применялись геометрии рассеяния, разрешенные для фононов с волновым вектором,
направленным по нормали к сверхрешетке и вдоль ее слоев. Экспериментально
подтверждено теоретически предсказанное смешивание локализованных в слоях GaAs
продольных мод LO1 с поперечными модами TO1, в которых атомы смещаются по
нормали к сверхрешетке. Эти моды обладают заметной угловой анизотропией. Угловая
анизотропия поперечных мод, в которых атомы смещаются в плоскости сверхрешетки,
мала.
Поступила в редакцию: 06.03.2014
Образец цитирования:
В. А. Володин, М. П. Синюков, “Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешетках GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 99:7 (2014), 463–466; JETP Letters, 99:7 (2014), 396–399
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3704 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i7/p463
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 426 | PDF полного текста: | 47 | Список литературы: | 28 | Первая страница: | 1 |
|