Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 251–258
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49029.9309
(Mi phts5261)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов

Zhang Fana, С. А. Кочубейb, M. Stoffelc, H. Rinnertc, M. Vergnatc, В. А. Володинab

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Université de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNRS, France
Аннотация: Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO$_{0.5}$[SiO$_{2}$]$_{0.5}$ и GeO$_{0.5}$[SiO]$_{0.5}$ получены соиспарением порошков GeO$_{2}$ и SiO либо SiO$_{2}$ и напылением на холодную подложку из плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным либо импульсным лазерным отжигам (XeCl лазер, $\lambda$ = 308 нм, длительность импульса 15 нс). Свойства образцов были исследованы с применением методов спектроскопии пропускания и отражения, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, осажденная при температуре подложки 100$^\circ$C пленка GeO[SiO] содержала кластеры аморфного германия, а в спектрах комбинационного рассеяния света осажденной при той же температуре пленки GeO[SiO$_{2}$] сигнала от колебаний связей Ge–Ge не обнаружено. Край оптического поглощения исходной пленки GeO[SiO$_{2}$] составлял $\sim$400 нм, а в пленке GeO[SiO] наблюдалось поглощение вплоть до ближнего инфракрасного диапазона, очевидно, вследствие поглощения на германиевых нанокластерах. Отжиги приводили к длинноволновому сдвигу края поглощения. После отжига при 450$^\circ$C в пленке GeO[SiO$_{2}$] были обнаружены кластеры аморфного германия, а после отжига при 550$^\circ$C, а также после импульсного лазерного отжига в ней обнаружены нанокристаллы германия. Для кристаллизации аморфных нанокластеров в пленке GeO[SiO] потребовался отжиг при температуре 680$^\circ$C. При этом размеры нанокластеров Ge в ней были меньше, чем в пленке GeO[SiO$_{2}$]. С применением импульсного лазерного отжига не удалось кристаллизовать кластеры германия в пленке GeO[SiO]. Очевидно, чем меньше размер полупроводниковых нанокластеров в диэлектрической матрице, тем труднее их кристаллизовать. В спектрах фотолюминесценции отожженных пленок при низкой температуре обнаружены сигналы, которые обусловлены либо дефектами, либо кластерами германия.
Ключевые слова: германосиликатные стекла, нанокластеры германия, кристаллизация, импульсный лазерный отжиг.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 0306-2019-0019
Работа выполнена по государственному заданию – Программа фундаментальных исследований ИФП СО РАН № 0306-2019-0019.
Поступила в редакцию: 11.11.2019
Исправленный вариант: 15.11.2019
Принята в печать: 15.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 322–329
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Zhang Fan, С. А. Кочубей, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 251–258; Semiconductors, 54:3 (2020), 322–329
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FanKocSto20}
\by Zhang~Fan, С.~А.~Кочубей, M.~Stoffel, H.~Rinnert, M.~Vergnat, В.~А.~Володин
\paper Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 251--258
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5261}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49029.9309}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776678}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 322--329
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030070}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5261
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p251
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024