Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 502–507
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47449.9013
(Mi phts5543)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния

И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света в пленках SiO$_{2}$, содержащих сферические нанокристаллы InSb, полученные методом ионно-лучевого синтеза. TO- и LO-подобные моды в спектрах нанокристаллов InSb были обнаружены на частотах 187 и 195 cм$^{-1}$ соответственно. Высокочастотное смещение этих мод по сравнению с их значениями в объемных кристаллах InSb проанализировано с точки зрения влияния квантово-размерного эффекта, механических напряжений в нанокристаллах, частоты поверхностного фонона, а также рассеяния на частоте, соответствующей растянутым анион-катионным модам на поверхности полярных сферических нанокристаллов. Положение моды 195 cм$^{-1}$ соответствует LO-фонону в нанокристаллах InSb, гидростатически сжатых в матрице SiO$_{2}$ при давлениях $\sim$10 кбар. Мода 187 cм$^{-1}$ соответствует резонансу на частоте Фрелиха.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0306-2016-0004
Работа выполнена в рамках проекта Министерства образования и науки РФ (ГЗ 0306-2016-0004).
Поступила в редакцию: 25.10.2018
Исправленный вариант: 05.11.2018
Принята в печать: 05.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 493–498
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040262
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов, “Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 502–507; Semiconductors, 53:4 (2019), 493–498
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TysVolPop19}
\by И.~Е.~Тысченко, В.~А.~Володин, В.~П.~Попов
\paper Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 502--507
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5543}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47449.9013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644623}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 493--498
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5543
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p502
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024