Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1467–1470
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48441.9142 (Mi phts5350) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий

С. Г. Черковаa, В. А. Скуратовbcd, В. А. Володинae

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
c Государственный университет "Дубна", г. Дубна, Московская обл.
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (288 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48441.9142
Аннотация: Исследованы оптические свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий. В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий от X, W, W', R и C линий, проявляется широкий пик в области 1.3–1.5 мкм. При этом с увеличением дозы облучения в диапазоне 3$\cdot$10$^{11}$–10$^{13}$ см$^{-2}$ наблюдается спад и сужение пика ФЛ с одновременным смещением максимума в длинноволновую область.
Ключевые слова: фотолюминесценция, дефекты в кремнии, быстрые тяжелые ионы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0306-2019-0019
Работа выполнена по государственному заданию – Программа фундаментальных исследований ИФП СО РАН № 0306-2019-0019.
Поступила в редакцию: 16.04.2019
Исправленный вариант: 15.05.2019
Принята в печать: 17.06.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1427–1430
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Г. Черкова, В. А. Скуратов, В. А. Володин, “Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1467–1470; Semiconductors, 53:11 (2019), 1427–1430
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheSkuVol19}
\by С.~Г.~Черкова, В.~А.~Скуратов, В.~А.~Володин
\paper Люминесцентные свойства высокоомного кремния, облученного тяжелыми ионами высоких энергий
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1467--1470
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5350}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48441.9142}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300644 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1427--1430
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110046}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5350
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1467
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024