Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 517 (Mi phts5843)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties

E. B. Gorokhova, K. N. Astankovaa, I. A. Azarovab, V. A. Volodinab, A. V. Latyshevab

a Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
b Novosibirsk State University, 630090 Novosibirsk, Russia
Аннотация: Porous germanium films were produced by selective removal of the GeO$_2$ matrix from the GeO$_2\langle$Ge–NCs$\rangle$ heterolayer in deionized water or HF. On the basis of Raman and infrared spectroscopy data it was supposed that a stable skeletal framework from agglomerated Ge nanoparticles (amorphous or crystalline) was formed after the selective etching of GeO$_2\langle$Ge–NCs$\rangle$ heterolayers. The kinetics of air oxidation of amorphous porous Ge layers was investigated by scanning ellipsometry. Spectral ellipsometry allowed estimating the porosity of amorphous and crystalline porous Ge layers, which was $\sim$70 and $\sim$80%, respectively.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00975
Российский научный фонд 14-22-00143
Ellipsometry and Raman measurements were funded by the Russian Foundation for Basic Research (project No 16-07-00975). SEM and IR spectroscopy investigations were carried out with the financial support of the Russian Science Foundation (project No 14-22-00143).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 628–631
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050111
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: E. B. Gorokhov, K. N. Astankova, I. A. Azarov, V. A. Volodin, A. V. Latyshev, “New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 517; Semiconductors, 52:5 (2018), 628–631
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorAstAza18}
\by E.~B.~Gorokhov, K.~N.~Astankova, I.~A.~Azarov, V.~A.~Volodin, A.~V.~Latyshev
\paper New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 517
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5843}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740381}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 628--631
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050111}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5843
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p517
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024