Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения

Исследованы процессы кристаллизации плeнок аморфного германия и многослойных наноструктур германий/кремний под действием наносекундного (70 нс) излучения рубинового лазера (длина волны излучения $\lambda$ = 694 нм). Образцы были выращены на кремниевых и стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения. Импульсный лазерный отжиг образцов проводился в диапазоне плотности энергии в импульсе $E_{p}$ от 0.07 до 0.8 Дж/см$^{2}$. Структура плeнок после отжига определялась из анализа данных сканирующей электронной микроскопии и спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что после отжига плeнки полностью кристаллизованы, при этом содержат области крупных кристаллических зeрен ( $>$ 100 нм), их доля растeт с увеличением $E_{p}$ и достигает 40% по площади. Из анализа положения пиков комбинационного рассеяния света предположено, что кристаллические зeрна с размерами $>$ 100 нм либо содержат структурные дефекты, либо в них присутствуют деформации растяжения. Корреляционная длина оптических колебаний, установленная из модели локализации фононов, растeт с увеличением $E_{p}$ от 5 до 8 нм. Импульсный лазерный отжиг многослойных структур Ge(10 нм)/Si(5 нм) приводят к частичному перемешиванию слоeв с образованием твeрдых растворов Ge–Si.