|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$
В. А. Володинab, Zhang Ruib, Г. К. Кривякинab, А. Х. Антоненкоb, M. Stoffelb, H. Rinnertc, M. Vergnatc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Université de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNR, France
Аннотация:
Проведены исследования светоизлучающих нанокристаллов германия, сформированных в процессе отжигов плeнок Ge$_{x}$[SiO$_{2}$]$_{1-x}$, полученных сораспылением в высоком вакууме мишеней германия и кварца на подложки, находящиеся при температуре 100$^\circ$C. По условиям роста молярная доля германия менялась от 10 до 40%. С применением электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света в исходных плeнках с содержанием германия выше 20 мол% обнаружены нанокластеры аморфного Ge с размерами $\sim$4–5 нм. Для кристаллизации аморфных нанокластеров применялись отжиги при температурах до 650$^\circ$С. Исследована кинетика кристаллизации нанокластеров германия, установлено, что в системе остаeтся до $\sim$1/3 аморфной фазы, предположительно, на границе нанокристалл/окружающая аморфная матрица SiO$_{2}$. Обнаружено, что при отжигах в обычной атмосфере происходилo частичное либо полное (при молярной доле германия 30% и менее) окисление нанокластеров германия. Обнаружены интенсивная фотолюминесценция в ИК-диапазоне от квантово-размерных нанокристаллов германия и видимая фотолюминесценция, обусловленная комплексами дефектов — вакансия кислорода+избыточные атомы германия.
Поступила в редакцию: 11.01.2018 Принята в печать: 19.02.2018
Образец цитирования:
В. А. Володин, Zhang Rui, Г. К. Кривякин, А. Х. Антоненко, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1056–1065; Semiconductors, 52:9 (2018), 1178–1187
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5739 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1056
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 5 |
|