Золото-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

Впервые в результате золото-индуцированной кристаллизации аморфного субоксида кремния ($\alpha$-SiO$_{x}$) получен поликристаллический кремний ($poly$-Si). Показано, что в процессе отжига образца со структурой подложка/тонкая пленка золота/тонкая пленка $\alpha$-SiO$_{0.2}$ при 335$^\circ$C $poly$-Si формируется в нижнем слое (на подложке), при этом золото диффундирует в верхний слой. При увеличении температуры до 370$^\circ$C механизм формирования $poly$-Si остается неизменным, только возрастает скорость процесса кристаллизации. По-видимому, процесс формирования $poly$-Si протекает путем образования силицидов золота, которые практически полностью распадаются на кристаллические фазы золота и кремния при 370$^\circ$C за 10 h.