Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 12, страницы 14–17
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.12.49520.18220 (Mi pjtf5070) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния

А. О. Замчийa, Е. А. Барановa, И. Е. Меркуловаab, Н. А. Луневa, В. А. Володинb, Е. А. Максимовскийc

a Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
b Новосибирский государственный университет
c Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (803 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.12.49520.18220
Аннотация: Предложен новый метод получения поликристаллического кремния путем индий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния со стехиометрическим коэффициентом 0.5 ($\alpha$-SiO$_{0.5}$). Показано, что использование индия в процессе отжига $\alpha$-SiO$_{0.5}$ позволяет снизить температуру кристаллизации до 600$^\circ$C, что существенно ниже температуры твердотельной кристаллизации такого материала (850$^\circ$C). В результате процесса индий-индуцированной кристаллизации $\alpha$-SiO$_{0.5}$, протекающего в высоком вакууме, происходит формирование свободностоящих частиц кристаллического кремния микронного размера.
Ключевые слова: тонкие пленки, субоксид кремния, индий-индуцированная кристаллизация, поликристаллический кремний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-638.2019.8
Исследование выполнено при финансовой поддержке гранта Президента РФ (МК-638.2019.8) (напыление In, высоковакуумный печной отжиг образцов) и в рамках государственного задания ИТ СО РАН (синтез и характеризация пленок $\alpha$-SiO$_x$ ).
Поступила в редакцию: 23.01.2020
Исправленный вариант: 20.03.2020
Принята в печать: 20.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 6, Pages 583–586
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020060280
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. О. Замчий, Е. А. Баранов, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунев, В. А. Володин, Е. А. Максимовский, “Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 14–17; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 583–586
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZamBarMer20}
\by А.~О.~Замчий, Е.~А.~Баранов, И.~Е.~Меркулова, Н.~А.~Лунев, В.~А.~Володин, Е.~А.~Максимовский
\paper Индий-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 12
\pages 14--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5070}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.12.49520.18220}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800727}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 583--586
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020060280}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5070
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i12/p14
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024