Высокотемпературный отжиг тонких пленок субоксида кремния, полученных методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой

Методом газоструйного осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой синтезированы тонкие пленки аморфного нестехиометрического оксида кремния (а-SiO$_{x}$:H, $0 < x < 2$). Стехиометрический коэффициент пленок а-SiO$_{x}$:H варьировался в диапазоне $0{,}47\div 1{,}63$ в зависимости от параметра $R$, определяемого расходом смеси Ar-SiH$_{4}$. Высокотемпературный (при температуре 950 $^\circ$С в течение 2 ч) отжиг тонких пленок а-SiO$_{x}$:H привел к формированию наночастиц кристаллического кремния размером $8{,}3\div 12{,}3$ нм.
Показано, что с увеличением параметра $R$ значения степени кристалличности отожженных пленок увеличиваются до 66 %. Сделано предположение, что на положение пика нанокристаллического кремния в спектрах комбинационного рассеяния света оказывают влияние механические напряжения. В результате количественной оценки такого напряжения получены значения $1{,}0\div 1{,}7$ ГПа.