|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
О структуре тонких пленок монооксида германия
К. Н. Астанковаa, В. А. Володинab, И. А. Азаровab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
С помощью оптических (спектроскопия комбинационного рассеяния света, инфракрасная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и электронно-микроскопических методов установлено, что атомная структура пленок монооксида германия стехиометрического состава соответствует модели случайных связей, без формирования нанокластеров германия. Данная структура метастабильна и трансформируется в структуру случайной фазы при температуре 260$^\circ$C и выше. Причиной метастабильности твердого GeO может являться наличие внутренних механических напряжений в атомной сетке.
Ключевые слова:
монооксид германия, метастабильность, модель случайных связей.
Поступила в редакцию: 24.08.2020 Исправленный вариант: 28.08.2020 Принята в печать: 28.08.2020
Образец цитирования:
К. Н. Астанкова, В. А. Володин, И. А. Азаров, “О структуре тонких пленок монооксида германия”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1296–1301; Semiconductors, 54:12 (2020), 1555–1560
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5103 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1296
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 19 |
|