Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1296–1301
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50228.9508a (Mi phts5103) 		 
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

О структуре тонких пленок монооксида германия

К. Н. Астанковаa, В. А. Володинab, И. А. Азаровab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (620 kB) Список цитирования (14)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50228.9508a
Аннотация: С помощью оптических (спектроскопия комбинационного рассеяния света, инфракрасная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и электронно-микроскопических методов установлено, что атомная структура пленок монооксида германия стехиометрического состава соответствует модели случайных связей, без формирования нанокластеров германия. Данная структура метастабильна и трансформируется в структуру случайной фазы при температуре 260$^\circ$C и выше. Причиной метастабильности твердого GeO может являться наличие внутренних механических напряжений в атомной сетке.
Ключевые слова: монооксид германия, метастабильность, модель случайных связей.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-49-08001
Министерство образования и науки Российской Федерации 2020-1902-01-058
РФЭС исследования пленки GeO проводились при поддержке Российского научного фонда (грант № 18-49-08001). В части измерения спектров КРС работа поддержана Министерством образования и науки РФ (проект 2020-1902-01-058). Работа частично выполнена с использованием оборудования Центра коллективного пользования “Наноструктуры” Института физики полупроводников СО РАН и Центра коллективного пользования “Высокие технологии и аналитика наносистем”. Новосибирского государственного университета.
Поступила в редакцию: 24.08.2020
Исправленный вариант: 28.08.2020
Принята в печать: 28.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1555–1560
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120027
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Н. Астанкова, В. А. Володин, И. А. Азаров, “О структуре тонких пленок монооксида германия”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1296–1301; Semiconductors, 54:12 (2020), 1555–1560
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstVolAza20}
\by К.~Н.~Астанкова, В.~А.~Володин, И.~А.~Азаров
\paper О структуре тонких пленок монооксида германия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1296--1301
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5103}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50228.9508a}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368063}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1555--1560
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120027}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5103
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1296
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024