|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge
В. А. Володинab, Л. В. Соколовa a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Тонкие растянутые пленки Ge в многослойных гетероструктурах
InGaAs/Ge/InGaAs,
выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках GaAs (001), исследованы с
применением методов спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии
пропускания света. Растягивающие двуосные деформации в пленках достигали
$1.9$ %. В
растянутых пленках Ge обнаружен сдвиг края поглощения в длинноволновую
область. Оптическая щель уменьшается до ${\sim}\,0.48\,$эВ.
Поступила в редакцию: 04.02.2015 Исправленный вариант: 12.02.2015
Образец цитирования:
В. А. Володин, Л. В. Соколов, “Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge”, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 455–458; JETP Letters, 101:6 (2015), 419–421
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4588 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i6/p455
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 151 | PDF полного текста: | 36 | Список литературы: | 41 | Первая страница: | 3 |
|