Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Padalitsa, Anatolii Alekseevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 41
Scientific articles: 40

Number of views:
This page:254
Abstract pages:12300
Full texts:3694
References:842
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person54804
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Kvantovaya Elektronika, 53:1 (2023),  11–16  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] 1
2022
2. N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Kvantovaya Elektronika, 52:2 (2022),  179–181  mathnet [Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181  isi  scopus] 3
2021
3. A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, K. A. Podgaetskii, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “Heterostructures of quantum-cascade lasers with nonselective overgrowth by metalorganic vapour phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:24 (2021),  46–50  mathnet  elib 1
4. V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Kvantovaya Elektronika, 51:10 (2021),  909–911  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911  isi  scopus] 1
5. N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Kvantovaya Elektronika, 51:10 (2021),  905–908  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908  isi  scopus] 3
6. N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 51:4 (2021),  283–286  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286  isi  scopus] 5
7. N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Kvantovaya Elektronika, 51:2 (2021),  133–136  mathnet  elib [Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136  isi  scopus] 5
2020
8. V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Kvantovaya Elektronika, 50:12 (2020),  1123–1125  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125  isi  scopus] 5
9. T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Kvantovaya Elektronika, 50:11 (2020),  1001–1003  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003  isi  scopus] 3
10. D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Kvantovaya Elektronika, 50:9 (2020),  830–833  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833  isi  scopus] 3
11. K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Kvantovaya Elektronika, 50:5 (2020),  489–492  mathnet  elib [Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492  isi  scopus] 4
2019
12. T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Kvantovaya Elektronika, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus] 6
13. A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiĭ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Kvantovaya Elektronika, 49:9 (2019),  810–813  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813  isi  scopus] 2
14. A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  519–521  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521  isi  scopus] 1
2018
15. A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:4 (2018),  463  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 8
16. A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Kvantovaya Elektronika, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus] 13
2017
17. M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Kvantovaya Elektronika, 47:8 (2017),  693–695  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695  isi  scopus] 6
18. M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Kvantovaya Elektronika, 47:4 (2017),  291–293  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293  isi  scopus] 11
19. A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus] 25
2016
20. I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Kvantovaya Elektronika, 46:5 (2016),  447–450  mathnet  elib [Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450  isi  scopus] 4
2015
21. A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 102:4 (2015),  235–239  mathnet  elib; JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211  isi  scopus 17
22. N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Kvantovaya Elektronika, 45:7 (2015),  601–603  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603  isi  scopus] 6
2013
23. P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 43:9 (2013),  822–823  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823  isi  scopus] 2
24. P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Kvantovaya Elektronika, 43:9 (2013),  819–821  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821  isi  scopus] 2
25. M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Kvantovaya Elektronika, 43:5 (2013),  407–409  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409  isi  scopus] 15
2010
26. E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus] 3
27. E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus] 5
28. A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Amplification of terahertz radiation on transitions between Wannier–Stark ladders in weak-barrier superlattices”, Kvantovaya Elektronika, 40:5 (2010),  400–405  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:5 (2010), 400–405  isi  scopus] 11
2009
29. E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Kvantovaya Elektronika, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus] 14
30. E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi] 3
2008
31. M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus] 11
32. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 38:2 (2008),  97–102  mathnet  elib [Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102  isi  scopus] 2
2006
33. P. I. Lapin, D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. D. Yakubovich, “High-power broadband superluminescent diodes emitting in the 1000–1100-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 36:4 (2006),  315–318  mathnet  elib [Quantum Electron., 36:4 (2006), 315–318  isi  scopus] 11
2005
34. V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 35:10 (2005),  909–911  mathnet [Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911  isi] 2
2003
35. A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, UFN, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi 17
2002
36. A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 32:9 (2002),  809–814  mathnet [Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814  isi] 4
37. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  216–218  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  isi]
38. P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Kvantovaya Elektronika, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi] 7
1999
39. V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the <i>p</i> — <i>n</i> junction”, Kvantovaya Elektronika, 27:1 (1999),  1–2  mathnet [Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284  isi] 1
1998
40. V. V. Bezotosnyi, P. V. Bulaev, V. A. Gorbylev, I. D. Zalevskii, N. V. Markova, Yu. M. Popov, A. A. Padalitsa, “Continuous-wave 1-W injection lasers emitting near 808 nm with a total efficiency up to 50”, Kvantovaya Elektronika, 25:4 (1998),  303–304  mathnet [Quantum Electron., 28:4 (1998), 292–293  isi] 1
2002
41. P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Errata to the article: Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Kvantovaya Elektronika, 32:6 (2002),  564  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024