|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, “Электрооптические и электроабсорбционные модуляторы на 1.5-микрометровый спектральный диапазон на основе InP”, Квантовая электроника, 53:11 (2023), 821–832  [D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, “InP-based electro-optic and electro-absorption modulators for the 1.5-μm spectral range”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S101–S116] |
|
2021 |
| 2. |
Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731  |
| 3. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163 ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
3
|
| 4. |
Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 877–881 ; D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 |
3
|
| 5. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 39–42 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 |
1
|
| 6. |
С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 52–54 ; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332 |
| 7. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 37–39 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, “AlSb/InAs heterostructures for microwave transistors”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142 |
|
2020 |
| 8. |
М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 3–6 ; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
| 10. |
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, С. А. Климин, Т. В. Малин, А. М. Гилинский, К. С. Журавлев, “Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 42–45 ; N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 |
1
|
| 11. |
К. А. Свит, К. С. Журавлев, “Процессы самосборки нанокристаллов CdS, синтезированных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1573–1578 ; K. A. Svit, K. S. Zhuravlev, “On the processes of the self-assembly of cds nanocrystal arrays formed by the Langmuir–Blodgett technique”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1540–1544 |
2
|
| 12. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 48–51 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 |
2
|
| 13. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
5
|
| 14. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
8
|
| 15. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 |
|
2018 |
| 16. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
5
|
| 17. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 18. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
| 19. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 48–56 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
3
|
| 20. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84 ; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 |
6
|
| 21. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиленная люминесценция сильнолегированных Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N-структур при оптическом возбуждении”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 215–221 [P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221  ] |
|
2017 |
| 22. |
Д. В. Гуляев, С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, “Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017), 21–25 ; D. V. Gulyaev, S. A. Batsanov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, “Nature of luminescence of PbS quantum dots synthesized in a Langmuir–Blodgett matrix”, JETP Letters, 106:1 (2017), 18–22 |
| 23. |
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904 ; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 |
8
|
| 24. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
3
|
| 25. |
А. А. Зарубанов, В. Ф. Плюснин, К. С. Журавлев, “Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 605–610 ; A. A. Zarubanov, V. F. Plyusnin, K. S. Zhuravlev, “Electronic excitation transfer from an organic matrix to CdS nanocrystals produced by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 51:5 (2017), 576–581 |
3
|
| 26. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
| 27. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 83–89 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583 |
| 28. |
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Дм. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 5–13 ; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 |
2
|
|
2016 |
| 29. |
И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев, “Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1059–1063 ; I. A. Aleksandrov, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Photoluminescence kinetics slowdown in an ensemble of GaN/AlN quantum dots upon tunneling interaction with defects”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042 |
| 30. |
И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 191–194 ; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, “Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures”, Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194 |
1
|
| 31. |
А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47 ; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 |
5
|
| 32. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 72–79 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 |
3
|
|
2012 |
| 33. |
А. А. Зарубанов, К. С. Журавлев, Т. А. Дуда, А. В. Окотруб, “Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и
углеродными нанотрубками”, Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012), 403–407 ; A. A. Zarubanov, K. S. Zhuravlev, T. A. Duda, A. V. Okotrub, “Electronic excitation energy transfer between CdS quantum dots and carbon nanotubes”, JETP Letters, 95:7 (2012), 362–365 |
9
|
|
2010 |
| 34. |
И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, П. Хольтц, “Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 498–500 ; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, P. Holtz, “Linearly polarized photoluminescence from an ensemble of wurtzite GaN/AlN quantum dots”, JETP Letters, 91:9 (2010), 452–454 |
2
|
|
2005 |
| 35. |
Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк, “Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005), 70–73 ; D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65 |
4
|
|
2003 |
| 36. |
А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер, “Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003), 664–667 ; A. V. Efanov, K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, W. Kellner, H. Pasher, “Observation of exchange interaction effects under optical orientation of excitons in AlGaAs”, JETP Letters, 77:10 (2003), 561–564 |
1
|
| 37. |
Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 459–463 ; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392 |
28
|
|
Обратная связь: