|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 16, страницы 41–47
(Mi pjtf6327)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
А. А. Борисовa, К. С. Журавлевb, С. С. Зыринa, В. Г. Лапинa, В. М. Лукашинa, A. A. Маковецкаяa, В. И. Новоселецa, А. Б. Пашковскийa, А. И. Тороповb, Н. Д. Урсулякa, С. В. Щербаковa a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Проведено сравнение малосигнальных характеристик транзисторов на псевдоморфной гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT) и транзисторов на традиционной псевдоморфной гетероструктуре (pHEMT) без акцепторного легирования. Показано, что DA-pHEMT при прочих равных условиях, несмотря на меньшие значения слабополевой подвижности электронов, имеют заметно больший коэффициент усиления, чем обычные pHEMT. Эффект обусловлен тем, что в DA-pHEMT средняя дрейфовая скорость под затвором заметно (по оценкам в 1.4–1.6 раза) выше. Рост дрейфовой скорости вызван двумя основными, сравнимыми по влиянию причинами: уменьшением роли поперечного пространственного переноса за счет усиления локализации горячих электронов в канале и уменьшением рассеяния горячих электронов из-за сильного размерного квантования в потенциальной яме DA-pHEMT-структуры.
Поступила в редакцию: 22.03.2016
Образец цитирования:
А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6327 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i16/p41
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 19 |
|