Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 16, страницы 41–47 (Mi pjtf6327)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах

А. А. Борисовa, К. С. Журавлевb, С. С. Зыринa, В. Г. Лапинa, В. М. Лукашинa, A. A. Маковецкаяa, В. И. Новоселецa, А. Б. Пашковскийa, А. И. Тороповb, Н. Д. Урсулякa, С. В. Щербаковa

a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (382 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Проведено сравнение малосигнальных характеристик транзисторов на псевдоморфной гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT) и транзисторов на традиционной псевдоморфной гетероструктуре (pHEMT) без акцепторного легирования. Показано, что DA-pHEMT при прочих равных условиях, несмотря на меньшие значения слабополевой подвижности электронов, имеют заметно больший коэффициент усиления, чем обычные pHEMT. Эффект обусловлен тем, что в DA-pHEMT средняя дрейфовая скорость под затвором заметно (по оценкам в 1.4–1.6 раза) выше. Рост дрейфовой скорости вызван двумя основными, сравнимыми по влиянию причинами: уменьшением роли поперечного пространственного переноса за счет усиления локализации горячих электронов в канале и уменьшением рассеяния горячих электронов из-за сильного размерного квантования в потенциальной яме DA-pHEMT-структуры.
Поступила в редакцию: 22.03.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 8, Pages 848–851
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016080198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorZhuZyr16}
\by А.~А.~Борисов, К.~С.~Журавлев, С.~С.~Зырин, В.~Г.~Лапин, В.~М.~Лукашин, A.~A.~Маковецкая, В.~И.~Новоселец, А.~Б.~Пашковский, А.~И.~Торопов, Н.~Д.~Урсуляк, С.~В.~Щербаков
\paper Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 16
\pages 41--47
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6327}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368294}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 8
\pages 848--851
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016080198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6327
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i16/p41
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024