Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 395–402
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 (Mi phts6217) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

К. С. Журавлевab, Т. В. Малинa, В. Г. Мансуровa, О. Е. Терещенкоab, К. К. Абгарянc, Д. Л. Ревизниковc, В. Е. Земляковd, В. И. Егоркинd, Я. М. Парнесe, В. Г. Тихомировe, И. П. Просвиринf

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Вычислительный центр им. А. А. Дородницына. Федеральный исследовательский центр "Информатика и управление" Российской академии наук, Москва, Россия
d Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
e ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
f Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (1180 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
Аннотация: Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока.
Поступила в редакцию: 30.08.2016
Принята в печать: 05.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 379–386
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030277
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402; Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMalMan17}
\by К.~С.~Журавлев, Т.~В.~Малин, В.~Г.~Мансуров, О.~Е.~Терещенко, К.~К.~Абгарян, Д.~Л.~Ревизников, В.~Е.~Земляков, В.~И.~Егоркин, Я.~М.~Парнес, В.~Г.~Тихомиров, И.~П.~Просвирин
\paper AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 395--402
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6217}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44215.8287}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006036}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 379--386
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030277}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6217
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p395
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024