|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
В. В. Ратниковa, М. П. Щегловa, Б. Я. Берa, Д. Ю. Казанцевa, И. В. Осинныхbc, Т. В. Малинb, К. С. Журавлевbc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si ($x$ = 0–0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0–8.0) $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$. Найдено, что для $x<$ 0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для $x>$ 0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для $x$ = 0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5 $\cdot$ 10$^{10}$ и 8.2 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ соответственно.
Поступила в редакцию: 09.08.2017 Принята в печать: 21.08.2017
Образец цитирования:
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237; Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5921 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p233
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 9 |
|