Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si ($x$ = 0–0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0–8.0) $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$. Найдено, что для $x<$ 0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для $x>$ 0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для $x$ = 0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5 $\cdot$ 10$^{10}$ и 8.2 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ соответственно.