Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страница 1696
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45187.8610
(Mi phts5976)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$$n$-слоев

Д. Ю. Протасовab, А. К. Бакаровac, А. И. Тороповac, Б. Я. Берd, Д. Ю. Казанцевd, К. С. Журавлевca

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Новосибирский государственный университет
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследовано влияние профиля распределения атомов кремния в донорных $\delta$-слоях гетероструктур AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с донорно-акцепторным легированием на подвижность двумерного электронного газа. Параметры профилей $\delta$-слоев определялись путем аппроксимации нормальным распределением пространственных распределений атомов кремния, измеренных методом вторичной ионной масс-спектроскопии. Показано, что соответствующим выбором условий роста значение стандартного отклонения $\sigma$ профиля $\delta$-слоев было уменьшено с 3.4 до 2.5 нм. Измерения магнитополевых зависимостей эффекта Холла и проводимости позволили установить, что в результате такого уменьшения $\sigma$ подвижность двумерного электронного газа в гетероструктурах возросла на 4000 см$^{2}$$\cdot$ с при 77 K и 600 см$^{2}$$\cdot$ с при 300 K. Проведенный расчет подвижности с учетом заполнения двух первых подзон размерного квантования показал, что возрастание подвижности хорошо объясняется ослаблением кулоновского рассеяния на ионизированных донорах вследствие увеличения эффективной толщины спейсерного слоя при уменьшении значения $\sigma$ профиля $\delta$-слоев.
Поступила в редакцию: 12.04.2017
Принята в печать: 24.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 44–52
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010189
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696; Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ProBakTor17}
\by Д.~Ю.~Протасов, А.~К.~Бакаров, А.~И.~Торопов, Б.~Я.~Бер, Д.~Ю.~Казанцев, К.~С.~Журавлев
\paper Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$--$n$-слоев
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1696
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5976}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45187.8610}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 44--52
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010189}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5976
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1696
    Синоним
    Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024