Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN

Изучено влияние атомарного алюминия, нанесенного на подложку сапфира, нитридизованную в разной степени, на качество слоев AlN, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Нитридизация сапфира с формированием на его поверхности $\sim$1 монослоя AlN обеспечивает рост слоев с более гладкой поверхностью и лучшего кристаллического качества по сравнению нитридизацией сапфира, приводящей к формированию нитридизованного слоя AlN толщиной $\sim$2 монослоя. Изменение времени экспонирования нитридизованных подложек в потоке атомарного алюминия существенного влияния на параметры последующих слоeв AlN не оказывает.