Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 18, страницы 48–51
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.18.48239.17894 (Mi pjtf5325) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si

П. А. Боханa, К. С. Журавлёвab, Д. Э. Закревскийa, Т. В. Малинa, И. В. Осинныхa, Н. В. Фатеевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (164 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.18.48239.17894
Аннотация: Экспериментально исследованы усилительные характеристики сильнолегированных структур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/AlN : Si c $x$ = 0.65 и 0.74 при импульсной оптической накачке излучением Nd : YAG-лазера с $\lambda$ = 266 nm. Абсолютные значения коэффициентов усиления в максимуме спектра люминесценции при комнатной температуре равны (0.5–6) $\cdot$ 10$^{3}$ сm$^{-1}$ при плотностях мощности возбуждения 8–600 kW/cm$^{2}$. Полученные значения сечений излучательной и донорно-акцепторной рекомбинации близки по величине и превышают 10$^{-16}$ сm$^{2}$.
Ключевые слова: сильнолегированные структуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/AlN, усилительные свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0306-2019-0020
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-00008
Работа выполнена в рамках государственного задания № 0306-2019-0020 и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (18-52-00008).
Поступила в редакцию: 27.05.2019
Исправленный вариант: 27.05.2019
Принята в печать: 13.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 9, Pages 951–954
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019090189
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 48–51; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BokZhuZak19}
\by П.~А.~Бохан, К.~С.~Журавлёв, Д.~Э.~Закревский, Т.~В.~Малин, И.~В.~Осинных, Н.~В.~Фатеев
\paper Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 18
\pages 48--51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5325}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.18.48239.17894}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41175085}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 9
\pages 951--954
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019090189}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5325
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i18/p48
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024