Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 6, страницы 77–84
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098 (Mi pjtf5859) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

Д. Ю. Протасовab, Д. В. Гуляевa, А. К. Бакаровa, А. И. Тороповa, Е. В. Ерофеевc, К. С. Журавлевad

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
c Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
d Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (157 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098
Аннотация: Приводятся измеренные импульсным методом полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в обычных гетероструктурах pHEMT и гетероэпитаксиальных структурах (ГЭС) с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT), в которых глубина квантовой ямы (КЯ) увеличена на 0.8-0.9 eV при помощи акцепторных слоев. Показано, что в ГЭС DA-pHEMT. скорость насыщенного дрейфа в 1.2–1.3 раза выше, чем в обычных ГЭС pHEMT. В спектрах электролюминесценции ГЭС DA-pHEMT отсутствуют полосы, связанные с рекомбинацией в широкозонных слоях – барьерах КЯ. Интенсивность электролюминесценции КЯ в таких ГЭС не насыщается при увеличении напряженности электрического поля. Это свидетельствует о подавлении переноса в реальном пространстве горячих электронов из КЯ в окружающие еe барьерные слои, с чем и связано увеличение насыщенной скорости дрейфа.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.577.21.0250
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках соглашения № 14.577.21.0250 от 26.09.17 г., уникальный идентификатор проекта RFMEFI57717X0250.
Поступила в редакцию: 26.10.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 3, Pages 260–262
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018030240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ProGulBak18}
\by Д.~Ю.~Протасов, Д.~В.~Гуляев, А.~К.~Бакаров, А.~И.~Торопов, Е.~В.~Ерофеев, К.~С.~Журавлев
\paper Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 77--84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5859}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740239}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 260--262
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018030240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5859
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p77
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024