Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 4, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055 (Mi pjtf5177) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

М. А. Сухановab, А. К. Бакаровab, Д. Ю. Протасовac, К. С. Журавлёвab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
PDF полного текста (113 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055
Аннотация: Представлена фотоприемная гетероструктура на основе AlInSb/InSb, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изготовлены мезоструктуры различных диаметров. Измерена температурная зависимость темнового тока. Показано, что встроенный барьер блокирует поток основных носителей заряда, тем самым снижая плотность темнового тока по сравнению с таковой для $pin$-структуры на основе InSb. Путем измерения зависимости темнового тока от размера мезоструктуры определено, что объемная составляющая тока преобладает над поверхностной.
Ключевые слова: InSb, $nBn$-детектор, темновой ток, молекулярно-лучевая эпитаксия, ИК-фотоприемник.
Поступила в редакцию: 30.09.2019
Исправленный вариант: 30.10.2019
Принята в печать: 31.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 2, Pages 154–157
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020020285
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 3–6; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SukBakPro20}
\by М.~А.~Суханов, А.~К.~Бакаров, Д.~Ю.~Протасов, К.~С.~Журавлёв
\paper AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 4
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5177}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776911}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 154--157
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020020285}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5177
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i4/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024