|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
П. А. Боханa, К. С. Журавлёвb, Дм. Э. Закревскийa, Т. В. Малинa, И. В. Осинныхa, Н. В. Фатеевa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
При оптической накачке импульсным лазерным излучением с $\lambda$ = 266 nm твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/AlN с $x$ = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной $\sim$ 260 THz для Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N и $\sim$360 THz для Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N. Измеренные коэффициенты усиления на $\lambda\approx$ 528 nm для Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N равны $g\approx$ 70 cm$^{-1}$, а для Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N на $\lambda\approx$ 468 nm $g\approx$ 20 cm$^{-1}$.
Поступила в редакцию: 17.07.2016
Образец цитирования:
П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Дм. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 5–13; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6025 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i1/p5
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 10 |
|