Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке

При оптической накачке импульсным лазерным излучением с $\lambda$ = 266 nm твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/AlN с $x$ = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной $\sim$ 260 THz для Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N и $\sim$360 THz для Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N. Измеренные коэффициенты усиления на $\lambda\approx$ 528 nm для Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$N равны $g\approx$ 70 cm$^{-1}$, а для Al$_{0.74}$Ga$_{0.26}$N на $\lambda\approx$ 468 nm $g\approx$ 20 cm$^{-1}$.